LM74721-Q1 TVS Less Low IQ Automotive Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller with Active Rectification

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C4B • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –33 V

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LM74721-Q1 TVS Less Low IQ Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller With Active Rectification

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具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器

LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V（直流）负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计，从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 I • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性 \n• 器件 HBM ESD 分类等级 2\n• 3V 至 65V 输入范围\n• 针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位，从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制\n• 3.3µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）\n• 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET\n• 快速响应反向电流阻断：0.5µs\n• 可调节过压保护\n• 与 LM74720-Q1 引脚对引脚兼容;

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LM74721-Q1 TVS Less Low IQ Automotive Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller with Active Rectification

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C4B • 3-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –33 V

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