LM74720-Q1 Low IQ Automotive Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection

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LM74720-Q1 Low IQ Ideal Diode Controller With Active Rectification and Load Dump Protection

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具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，在汽车测试中 ECU 会收到输 • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性 \n• 器件 HBM ESD 分类等级 2\n• 3V 至 65V 输入范围\n• 低静态电流：运行时 35µA（最大值）\n• 17mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行\n• 集成型 30mA 升压稳压器\n• 高达 100kHz 的有源整流\n• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求\n• 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容;

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