5.5-V, 1.5-A, 79-m(ohm), Low IQ ideal diode with input polarity protection

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LM66100-Q1 5.5-V, 1.5-A 79-m廓, Automotive, Low IQ Ideal Diode With Input Polarity Protection

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具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5µA IQ 理想二极管

LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。 \n\n该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能，该功能可以保护器件不受误接线输入的影响，例如电池装反。 \n\n可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件，其实施方法与双二极管 ORin • 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V \n• 最大持续电流 (IMAX)：1.5A \n• 5V VIN = 79mΩ（典型值）\n• 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）\n• 启用比较器芯片 (CE) \n• 低电流消耗： \n• 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）;

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5.5-V, 1.5-A, 79-m(ohm), Low IQ ideal diode with input polarity protection

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