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LM5175RHFR	文件：1.77337 Mbytes Page：38 Pages	42 V Wide VIN Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM5175RHFR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：28-VFQFN 裸露焊盘功能：升压/降压类别：集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器描述：SYNCHRONOUS 4-SWITCH BUCK-BOOST	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM5175RHFR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：28-VFQFN 裸露焊盘功能：升压/降压类别：集成电路（IC） DC-DC 开关控制器描述：SYNCHRONOUS 4-SWITCH BUCK-BOOST	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ACE5175X	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE5175XBNH	文件：255.9 Kbytes Page：4 Pages	7V600mA75dBHighPSRR,HighSpeedLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AD5175	文件：1.033619 Mbytes Page：20 Pages	Single-Channel,1024-Position,DigitalRheostatwithI2CInterfaceand50-TPMemory	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BX5175	文件：73.67 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
C5175G	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175K	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C5175V	文件：880.27 Kbytes Page：2 Pages	5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 5000WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CEB5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB5175	文件：503.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-50A,RDS(ON)=23mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP5175	文件：683.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-50A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CEU5175	文件：269.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-40A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU5175	文件：274 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-55V,-40A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=28mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEZ5175	文件：535.62 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -55V,-48A,RDS(ON)=23mW@VGS=-10V. RDS(ON)=28mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
EL5175	文件：753.55 Kbytes Page：15 Pages	550MHzDifferentialLineReceivers TheEL5175andEL5375aresingleandtriplehighbandwidthamplifiersdesignedtoextractthedifferencesignalfromnoisyenvironments.Theyareprimarilytargetedforapplicationssuchasreceivingsignalsfromtwisted-pairlinesoranyapplicationwherecommonmodenoiseinjectionislikelyto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
LM5175RHFR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
升压/降压
输出配置：
正
拓扑：
降压升压
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
3.5V ~ 42V
频率 - 开关：
100kHz ~ 600kHz
同步整流器：
是
时钟同步：
是
控制特性：
使能，频率控制，电源良好，软启动
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
28-VQFN（5x4）
描述：
SYNCHRONOUS 4-SWITCH BUCK-BOOST

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	LM5175RHFR		18+ROHSNEW	QFN28	30000	TI原装现货一级现货代理分销商QQ350053121	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	LM5175RHFR	Texas Instruments	23+	VQFN-28	12000	原装正品现货询价有惊喜	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	LM5175RHFR	TI(德州仪器)	22+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市弘为电子有限公司	LM5175RHFR	TI(德州仪器)	22+	VQFN-28	30000	只做原装	询价
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深圳市振鑫微电子科技有限公司	LM5175RHFR	TI(德州仪器)	23+	N/A	589610	新到现货原厂一手货源价格秒杀代理!	询价
芯灿微（深圳）科技有限公司	LM5175RHFR	TI/德州仪器	22+	VQFN-28	500000	原装现货支持实单价优/含税	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	LM5175RHFR	TI/德州仪器	22+	VQFN28	6000	原装正品	询价
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更多LM5175RHFR供应商更新时间2024-4-30 14:12:00

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