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CEB5175中文资料PDF规格书

CEB5175
厂商型号

CEB5175

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

503.67 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 CET-MOS Technology Corp.
企业简称

CET-MOS華瑞

中文名称

華瑞功率電子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-12 18:23:00

CEB5175规格书详情

FEATURES

-55V, -50A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 28mW @VGS = 4.5V.

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