5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

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增强模式 GaN FET 的 5A、100V 半桥接闸极驱动器

LM5113 设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压，并在内部将其钳位在 5.2V，从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分离栅极输出，允许单独而灵活地调节导通和关断强度。此外，LM5113 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LM • 独立的高侧和低侧晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 逻辑输入\n• 1.2A/5A 峰值拉/灌电流\n• 高侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC\n• 内部自举电源电压钳位 \n• 分离输出实现可调的开通/关断强度\n• 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻 \n• 快速传播时间（典型值为 28ns）\n• 优异的传播延迟（典型值为 1.5ns)\n• 电源轨欠压锁定\n• 低功耗;

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