Low power dual operational amplifiers

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low power dual operational amplifiers

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

LM358A: Dual Operational Amplifier

LM2904、LM358/LM358A和LM258/LM258A包括两个专门为在宽电压范围内、用单电源供电而设计的、独立的、高增益、带内部频率补偿的运算放大器。从分离式电源供电也是可行的，并且低电源电流与电源电压的幅度无关。应用领域包括换能器放大器、DC增益模块以及所有传统的运算放大器电路，现在您可以在单电源系统中轻松实现这些器件。 针对单位增益的内部频率补偿\n 大DC电压增益：100 dB\n 宽电源范围：\n LM258 / LM258A, LM358 / LM358A:3 V ~ 32 V（或 ±1.5 V ~ 16 V）\n LM2904:3 V ~ 26 V（或 ±1.5 V ~ 13 V）\n 输入共模电压范围包括地电平\n 大输出电压摆幅：0 V DC 至 VCC - 1.5 V DC\n 适用于电池运行的电源漏极。;

ONSEMI

安森美半导体

Dual, 30-V, 700-kHz, 3-mV offset voltage operational amplifier

LM358B 和 LM2904B 是业界通用运算放大器 LM358 和 LM2904 的下一代版本，其中包括两个高压 (36V) 运算放大器。这些器件为成本敏感型 应用带来了出色的价值，该器件的 特性 包括低失调电压（300µV，典型值）、接地共模输入范围以及高差分输入电压能力。\n\nLM358B 和 LM2904B 运算放大器具有增强的 功能， 例如单位增益稳定性、较低的 3mV（室温下的最大值）失调电压和每个放大器 300µA（典型值）的静态电流，从而简化了电路设计。高 ESD（2kV，HBM）和集成 EMI 以及射频滤波器可支持将 LM358B 和 LM2904B 器件用于最严苛、最具 • 3V 至 36V 宽电源范围（B 版本）\n• 静态电流：每个放大器 300µA（B 版本，典型值） \n \n• 单位增益带宽为 1.2MHz（B 版本）\n• 共模输入电压范围包括接地，支持近地直接检测\n• 3mV（25°C 时）的低输入失调电压（A 和 B 版本，最大值）\n• 内部射频和 EMI 滤波器（B 版本）\n• 对于符合 MIL-PRF-38535 标准的产品，所有参数均经过测试，除非另外注明。对于所有其他产品，生产流程不一定包含对所有参数的测试。;

TI

德州仪器

高压通用放大器

RUNIC

润石