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LM100505T-220Y-N

This specification applies to MULTILAYER FERRITE CHIP BEADS

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LEIDITECH

雷卯电子

LM100505T-221Y-N

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雷卯电子

LM100505T-241Y-N

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雷卯电子

LM100505T-300Y-N

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雷卯电子

LM100505T-301Y-N

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雷卯电子

LM100505T-320Y-N

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LM100505T-330Y-N

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LM100505T-331Y-N

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LM100505T-400Y-N

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LM100505T-470Y-N

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技术参数

  • Rail-to-rail:

    In to V-

  • GBW (Typ) (MHz):

    0.05

  • Slew rate (Typ) (V/us):

    0.2

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV):

    2

  • Iq per channel (Typ) (mA):

    0.27

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz):

    50

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    0 to 70

  • Offset drift (Typ) (uV/C):

    2

  • Features:

  • Input bias current (Max) (pA):

    20000

  • CMRR (Typ) (dB):

    102

  • Output current (Typ) (mA):

    20

  • Architecture:

    Bipolar

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更多LM10供应商 更新时间2026-1-18 13:30:00