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LGE3D40065H	文件：1.7011 Mbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode GeneralDescription Thisproductfamilyoffersstateoftheart performance.Itisdesignedforhighfrequencyapplications herehighefficiencyandhighreliabilityarerequired. Features ZeroForward/ReverseRecoveryCurrent HighBlockingVoltage HighFrequencyOperation Positi	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
LGE3D40065H	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅肖特基;	LGEShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LGE
B3D40065HC	文件：1.47481 Mbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyDiode Features Lowleakagecurrent(IR) Zeroreverserecoverycurrent Temperatureindependentswitchingbehavior PositivetemperaturecoefficientonVF Highsurgecurrentcapacity Lowcapacitivecharge Applications Switchmodepowersupplies(SMPS) Uninterruptiblepowersupplies Server/telec	BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR 基本半导体深圳基本半导体有限公司	BASICSEMI
S3D40065D	文件：523.02 Kbytes Page：6 Pages	650VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIER 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100%PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice All	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

技术参数

IF(A)：
40
VRRM (V)：
650
IFSM (A)：
170
VF (V)：
1.55
@ IF (A)：
40
IR(μA)：
10
Qc(nC)：
83

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