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LF411MWGRLQMLV	文件：699.74 Kbytes Page：20 Pages	LF411QML Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：699.74 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411-N	文件：942.56 Kbytes Page：21 Pages	Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：942.56 Kbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411-N	文件：874.36 Kbytes Page：16 Pages	LF411 Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：874.36 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411P	文件：172.77 Kbytes Page：7 Pages	JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：172.77 Kbytes 页数：7 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411QML	文件：699.74 Kbytes Page：20 Pages	LF411QML Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：699.74 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411QML-SP	文件：1.7932 Mbytes Page：19 Pages	Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：1.7932 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411QML-SP_15	文件：1.78759 Mbytes Page：19 Pages	LF411QML Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：1.78759 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
LF411XYZ	文件：456.14 Kbytes Page：12 Pages	Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：456.14 Kbytes 页数：12 Pages	NSC 国半	NSC
LF411-N	文件：300 bytes Page：1 Pages	低偏移、低漂移 JFET 输入运算放大器 These devices are low-cost, high-speed, JFET input operational amplifiers with very low input offset voltage and input offset voltage drift. They require low supply current yet maintain a large gain bandwidth product and fast slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input devices provi ·Internally Trimmed Offset Voltage: 0.5 mV (Max)\n ·Input Offset Voltage Drift: 7 µV/°C (Typ)\n ·Low Input Bias Current: 50 pA\n ·Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz\n ·Wide Gain Bandwidth: 3 MHz (Min)\n ·High Slew Rate: 10 V/µs (Min)\n ·Low Supply Current: 1.8 mA\n ·High Input Impedance: 1012Ω\n ·;	TI 德州仪器	TI
LF411QML-SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Space-grade, single, 30-V, 3-MHz, low-offset operational amplifier This device is a low cost, high speed, JFET input operational amplifier with very low input offset voltage and ensured input offset voltage drift. It requires low supply current yet maintains a large gain bandwidth product and fast slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input devices • Available with Radiation Specification \n• Internally Trimmed Offset Voltage: 0.5 mV(Typ)\n• Low Input Bias Current: 50 pA\n• Wide Gain Bandwidth: 3 MHz\n• Low Supply Current: 1.8 mA\n• Low Total Harmonic Distortion: AV = 10, RL = 10KΩ, VO = 20VP-P, BW = 20Hz - 20KHz;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
No
GBW (Typ) (MHz)：
3
Slew rate (Typ) (V/us)：
13
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
2
Iq per channel (Typ) (mA)：
2
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
18
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
0 to 70
Offset drift (Typ) (uV/C)：
10
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
200
CMRR (Typ) (dB)：
100
Output current (Typ) (mA)：
25
Architecture：
FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	LF411	A	24+	b	1260		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	LF411	NS	25+	原厂封装	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市恒科翔业电子有限公司	LF411	TI德州仪器	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
深圳市旺财半导体有限公司	LF411		23+	SOP/DIP	11400	正品原装货价格低	询价
上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）	LF411		2023+		3000	进口原装现货	询价

更多LF411供应商更新时间2025-12-24 15:30:00

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