丝印：LF298M；Package：SOIC；LFx98x Monolithic Sample-and-Hold Circuits

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单片采样保持电路（10µs 采集，3mV 失调电压）

LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路，利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器，直流增益精度为 0.002％（典型值），采集时间低至 6µs (0.01％)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的，不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内，而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω，允许使用高源阻抗，而不会降低精度。\n\nP 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合，通过 1µF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于 • 通过 ±5V 至 ±18V 的电源工作\n• 采集时间少于 10µs\n• 逻辑输入与 TTL、PMOS、CMOS 兼容\n• 在 Ch = 0.01µF 时保持步进为 0.5mV（典型值）\n• 低输入偏移\n• 增益精度为 0.002%\n• 在保持模式下，输出噪声较低\n• 在保持模式期间，输入特点不变\n• 在采样或保持模式中，电源抑制比高\n• 宽带宽\n• 符合太空要求，符合 JM38510;

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Sample-and-hold amplifiers

DESCRIPTION The LF198/LF298/LF398 are monolithic sample-and-hold circuits which utilize high-voltage ion-implant JFET technology to obtain ultra-high DC accuracy with fast acquisition of signal and low droop rate. Operating as a unity gain follower, DC gain accuracy is 0.002 typical and acquisiti

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DESCRIPTION The LF198/LF298/LF398 are monolithic sample-and-hold circuits which utilize high-voltage ion-implant JFET technology to obtain ultra-high DC accuracy with fast acquisition of signal and low droop rate. Operating as a unity gain follower, DC gain accuracy is 0.002 typical and acquisiti

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