LET9180中文资料180W 32V Wideband LDMOS TRANSISTOR数据手册ST规格书

描述 Description

The LET9180 is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2 GHz.

特性 Features

Excellent thermal stability
Common source configuration push-pull
P
OUT = 180 W with 19 dB gain @ 860 MHz
BeO-free package

简介

LET9180属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由ST制造生产的LET9180晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。