LET9045中文资料45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package数据手册ST规格书

厂商型号 |
LET9045 |
参数属性 | LET9045 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A |
功能描述 | 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package |
封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 19:24:00 |
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LET9045规格书详情
特性 Features
• In compliance with the 2002/95/EC european directive
• Excellent thermal stability
• POUT = 45 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz / 28 V
• Common source configuration
• ESD protection
• Plastic package
简介
LET9045属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的LET9045晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
LET9045
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
960MHz
- 增益:
17.5dB
- 额定电流(安培):
9A
- 功率 - 输出:
59W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(成形引线)
- 描述:
TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF |
32360 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
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PowerSO-10RF |
50000 |
只做原装正品 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
M243 |
16900 |
原装,正品 |
询价 |