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LET8180
厂商型号

LET8180

功能描述

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

文件大小

33.55 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:35:00

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LET8180规格书详情

DESCRIPTION

The LET8180 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET8180 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 32 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-PULL

• POUT = 220 W with 17 dB TYP. gain @ 860 MHz

• BeO FREE PACKAGE

• INTERNAL INPUT MATCHING

• ESD PROTECTION

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
23+
PowerSO-10RF
50000
只做原装正品
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ST/意法半导体
21+
M243
8860
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ST/意法半导体
23+
M243
16900
公司只做原装,可来电咨询
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ST/意法
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ST/意法半导体
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M243
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