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LET21030C中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

LET21030C

功能描述

RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

文件大小

62.62 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 14:15:00

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LET21030C规格书详情

DESCRIPTION

The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 26 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

Designed for GSM / EDGE / IS-97 / WCDMA applications

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• POUT = 30 W with 11 dB gain @ 2170 MHz

• BeO FREE PACKAGE

• INTERNAL INPUT MATCHING

• ESD PROTECTION

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
PowerSO10RF (Formed Lead)
9000
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