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R6025FNZ	文件：925.41 Kbytes Page：14 Pages	Nch600V25APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6025JNX	文件：2.35024 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V25APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6025JNZ	文件：2.69562 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V25APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
REF6025	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6025IDGKR	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6025IDGKT	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RJK6025DPD	文件：80.84 Kbytes Page：7 Pages	600V-1A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=13.5±typ.(atID=0.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6025DPD	文件：1.08611 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK6025DPD	文件：1.39517 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6025DPE	文件：84.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=13Ωtyp.(atID=0.4A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
LDS6025
制造商：
IDT
制造商全称：
Integrated Device Technology
功能描述：
PureTouch? Capacitance Touch IC with Integrated Keypad LED Drivers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	LDS6025PYGI	IDT, Integrated Device Technol	24+	28-SSOP	53200	一级代理/放心采购	询价
深圳市科雨电子有限公司	LDS6025NQGI	IDT	20+	QFN-28	1001	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多LDS6025供应商更新时间2025-7-14 15:06:00

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