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LDN2367T1G

丝印:206;Package:SOT26(TSOP-6);N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.04127 Mbytes 页数:7 Pages

LRC

乐山无线电

LDN2367T1G

低压功率MOSFET

LRC

乐山无线电

LDO06C-005W05-VJ

MODULE

技术参数

  • VDSS (V):

    20

  • VGS(V):

    12

  • ID (A) @TA:

    6.3

  • VGSth Min (V):

    0.5

  • VGSth Max (V):

    1.2

  • td(on) (ns):

    10

  • td(off) (ns):

    35

  • RDS(ON)Max @VGS/IDS (mΩ):

    22

  • VGS/IDS (V)/(A):

    4.5/4.5

  • Package:

    SOT23-6

  • Polarity:

    Dual-N

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