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LDK120

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

LDK120

200 mA低静态电流、极低噪声的LDO

LDK120低压降稳压器提供的最大电流为200 mA,输入电压范围为1.9 V至5.5 V,典型压差为100 mV。\n\n 该器件在输出端采用陶瓷电容器保持稳定。\n\n 由于具有超低压降、低静态电流和低噪声特性,非常适合低功耗电池供电应用。\n\n 使能逻辑控制功能可将LDK120置于关断模式,总电流消耗低于1 μA。\n\n 该器件还具有恒流限流短路保护以及热保护功能。 • 输入电压范围:1.9 V至5.5 V \n• 超低压降(100 mA负载下的典型值为100 mV) \n• 低静态电流(最大100 μA,关断模式下为1 μA) \n• 极低噪声 \n• 输出电压容差:25 °C时为±2.0% \n• 保证输出电流为200 mA \n• 固定输出电压范围宽泛且可根据要求调节:可调节范围为0.8 V至3.5 V,步长100 mV• 可调版本:范围从0.8 V至VIN-Vdrop \n• 逻辑控制的电子关断功能 \n• 与陶瓷电容器COUT = 1 μF兼容 \n• 内部电流过载保护和热保护功能 \n• 采用SOT23-5L、SOT323-5L和DFN;

ST

意法半导体

LDK120C08R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

LDK120C08R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

LDK120C10R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

LDK120C10R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

LDK120C11R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

LDK120C11R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

LDK120C12R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

LDK120C12R

200 mA low quiescent current very low noise LDO

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意法半导体

技术参数

  • Marketing Status:

    Active

  • General Description:

    200 mA low quiescent current very low noise LDO

  • Grade:

    Industrial

  • DC Input voltage_max(V):

    5.5

  • Output Voltage_nom(V):

    0.8

  • Output Current_nom(A):

    0.2

  • Adjustable Regulated Output Voltage:

    false

  • Supply Voltage Rejection Ratio_typ(@ 10kHz)(dB):

    36

  • Dropout Voltage_nom(V):

    0.1

  • Output Tolerance_typ:

    2

  • Quiescent current_typ(mA):

    0.03

  • Operating Temperature_min(°C):

    -40

  • Operating Temperature_max(°C):

    125

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