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MCR703A	文件：496.94 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONCONTROLLEDRECTIFIERS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MCR703A	文件：174.75 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifiers SiliconControlledRectifiersReverseBlockingTriodeThyristors ...PNPNdevicesdesignedforhighvolume,lowcostconsumerapplicationssuchastemperature,lightandspeedcontrol;processandremotecontrol;andwarningsystemswherereliabilityofoperationiscritical. •SmallSize •P	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MCR703A	文件：550.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarPNPNThyristor(4ASCR) DESCRIPTION ThyristorinaTO-252Package. FEATURES Theconsumptionlevelprovidereliableapplications, suchastemperature,lighting,speed,etc. APPLICATIONS AppliedtohighVoltagecontrolcircuit.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJE703	文件：51.67 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=-1.5and-2.0ADC •ComplementtoMJE800/801/802/803	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE703	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE703	文件：252.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN(HIGHDCCURRENTGAIN)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE703	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE703	文件：100.42 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage—:VCEO(SUS)=-80V •DCCurrentGain—:hFE=750(Min)@IC=-2A =100(Min)@IC=-4A •ComplementtoTypeMJE803 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE703	文件：84.77 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE703	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
LCS703HG
制造商：
Power Integrations
类别：
集成电路（IC） > 全半桥驱动器
系列：
HiperLCS™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
输出配置：
半桥
应用：
通用
接口：
开/关
负载类型：
电感
技术：
功率 MOSFET
导通电阻（典型值）：
600 毫欧
电流 - 峰值输出：
12.9A
电压 - 供电：
11.4V ~ 15V
电压 - 负载：
11.4V ~ 15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：
自动重启，压摆率受控型
故障保护：
限流，超温，过压，短路，UVLO
安装类型：
通孔
封装/外壳：
16-SSIP，13 引线，裸露焊盘，成形引线
供应商器件封装：
eSIP-16J
描述：
IC LLC CTRL MFET 275W ESIP16C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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