丝印：NCE15P25JK；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.06843 Mbytes 页数：6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

引线式瞬态抑制二极管

• DO-201包装内有钝化玻璃芯片接合点\n• 10×1000μs波形时的峰值脉冲功率为1500W，重复频率（工作循环）:0.01%\n• 快速的响应时间: 从0伏特至VBR最小值通常小于1.0ps\n• 出色的箝位能力\n• 典型的故障模式是因超过指定电压或电流而造成的短路 \n• 锡丝测试基于JEDEC JESD201A的4a和4c表进行。\n• IEC-61000-4-2 ESD 15kV(Air), 8kV（接触放电）。\n• ESD数据线路保护符合IEC 61000-4-2（IEC801-2）\n• EFT数据线路保护符合IEC 61000-4-4（IEC801-4）\n•;

Littelfuse

力特

Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR） 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 15VWM 25.62VC DO201

LITTELFUSE

力特

MOSFET场效应管

Leiditech

雷卯电子

瞬态浪涌抑制器件(TVS)

Semitech

海晨启半导体

Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR） 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 15VWM 24.4VC 1.5KE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：带盒（TB） 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 15VWM 24.4VC 1.5KE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division