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LC321667BT-80	文件：624.06 Kbytes Page：30 Pages	1 MEG (65536 words X 16 bits) DRAM EDO Page Mode, Byte Write??? Overview The LC321667BJ series is a CMOS dynamic RAM operating on a single 5 V power source and having a 65536 words × 16 bits configuration. Equipped with large capacity capabilities, high speed transfer rates and low power dissipation, this series is suited for a wide variety of applications ra 文件：624.06 Kbytes 页数：30 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC321-1K	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC321-250	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC321-250.	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC321-2K	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC3215	文件：364.25 Kbytes Page：1 Pages	Quartz SMD 文件：364.25 Kbytes 页数：1 Pages	AURIS	AURIS
LC321-500	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC321-750	文件：224.51 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE COMPRESSION LOAD CELL 文件：224.51 Kbytes 页数：1 Pages	OMEGA	OMEGA
LC321664AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	1 MEG (65536 words X 16 bits) DRAM Fast Page Mode, Byte Write	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LC321664BJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	1 MEG (65536 words X 16 bits) DRAM Fast Page Mode, Byte Write	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

测力类型：
Compression
测量技术：
Strain Gauge
额定力：
500 lbs (227 kg)
输出：
Analog Voltage
工作温度：
-65 to 250 F (-54 to 121 C)
封装：
Miniature
产品类别：
Load Cells
特征：
Temperature Compensated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	LC321664BJ-70-MPB	SANYO	25+	标准封装	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市星佑电子有限公司	LC321664BJ-70	SANYO	00+	SOJ	173	全新原装100真实现货供应	询价
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深圳市一线半导体有限公司	LC321664AJ-80	SANYO	24+	40SOJ	5000	现货	询价
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更多LC321供应商更新时间2025-10-4 16:18:00

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