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LBSS123LT1	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available. 文件：99.51 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available. 文件：99.51 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G	文件：1.74991 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.74991 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LBSS123LT3	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available. 文件：99.51 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT3G	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available. 文件：99.51 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G_15	文件：366.07 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：366.07 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT3G	文件：1.00173 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.00173 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LBSS123LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC

技术参数

VDSS (V)：
100
VGS(V)：
20
ID (A)：
0.17
VGSth Min (V)：
0.8
VGSth Max (V)：
2
td(on) (ns)：
20
td(off) (ns)：
40
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
6000
VGS/IDS (V)/(A)：
10/0.1
Package：
SOT-23
Polarity：
N-Channel

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