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LBC848	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848BDW1T1G	文件：202.63 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. RoHS requirements. We declare that the material of product compliance with and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif 文件：202.63 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848BDW1T3G	文件：202.63 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. RoHS requirements. We declare that the material of product compliance with and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif 文件：202.63 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848CDW1T1G	文件：202.63 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. RoHS requirements. We declare that the material of product compliance with and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif 文件：202.63 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
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LBC848A	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848ALT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848ALT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848ALT1G	文件：573.84 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：573.84 Kbytes 页数：13 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBC848ALT1G	文件：1.23606 Mbytes Page：13 Pages	丝印：1J；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：1.23606 Mbytes 页数：13 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

IC (mA)：
100
VCEO (V)：
30
hFE Min：
110
hFE @IC(mA)：
2
VCE(sat) Max (V)：
0.6
VCE(sat) @IC/IB(mA)：
100/5
fT TYP (MHz)：
100
Polarity：
NPN
Package：
SOT-23

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