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UL1980	文件：143.54 Kbytes Page：2 Pages	OBUDOWSCE81	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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UPA1980	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitableforapplicationss	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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UPA1980TE	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION TheμPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalow on-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitablefor applicatio	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1980TE	文件：573.56 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1980TE	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitableforapplicationss	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

产品属性

产品编号：
LB1980H-MPB-E
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
包装：
卷带（TR）
电机类型 - AC，DC：
无刷 DC（BLDC）
功能：
驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置：
半桥（3）
接口：
并联
技术：
双极性
应用：
媒体播放器
电流 - 输出：
1.3A
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
电压 - 负载：
5V ~ 22V
工作温度：
-20°C ~ 75°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-SOP（0.311"，7.90mm 宽）裸焊盘 + 2 热凸片
供应商器件封装：
28-HSOPH
描述：
IC MOTOR DRIVER 4.5V-5.5V 28HSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LB1980H-MPB-E供应商更新时间2024-5-21 14:00:00

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