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L9952GXP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	for car body applications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L9952GXP	文件：854.53 Kbytes Page：68 Pages	Power management system IC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L9952GXP	文件：865.39 Kbytes Page：68 Pages	Power management system IC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L9952GXP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：PowerSSO-36 裸露底部焊盘类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：IC PWR MANAGEMENT SYST PWRSSO36	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L9952GXPTR	文件：854.53 Kbytes Page：68 Pages	Power management system IC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L9952GXPTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：PowerSSO-36 裸露底部焊盘类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：IC PWR MANAGEMENT SYST PWRSSO36	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
9952	文件：48.26 Kbytes Page：2 Pages	3MTMSingleCoatedMedicalPlasticTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
9952	文件：146.68 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,2C#16StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,2Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket	BELDEN Belden Inc.
AD9952	文件：731.64 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9952isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9952usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9952YSV	文件：731.64 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9952isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9952usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9952YSV	文件：569.1 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9952YSVZ	文件：569.1 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AE9952	文件：45.66 Kbytes Page：1 Pages	Cat5eUTPPatchCable	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司
AP9952GP-HF	文件：101.08 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AUIRF9952Q	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF9952Q	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF9952QTR	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF9952QTR	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
CEM9952A	文件：1.64528 Mbytes Page：10 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■30V,3.7A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CHM9952AJPT	文件：321.79 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT3.7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT2.9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOCHENMKO CHENMKO

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产品属性

产品编号：
L9952GXP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 电源管理 - 专用
包装：
卷带（TR）
应用：
汽车级
电压 - 供电：
6V ~ 18V
工作温度：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
PowerSSO-36 裸露底部焊盘
供应商器件封装：
PowerSSO-36
描述：
IC PWR MANAGEMENT SYST PWRSSO36

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