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L2SD2114KWLT1G	文件：78.09 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) Pb-Free package is available. 文件：78.09 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
L2SD2114KWLT1G	文件：72.32 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain 文件：72.32 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
L2SD2114KWLT1G_15	文件：111.32 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：111.32 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
L2SD2114KWLT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用三极管	LRC 乐山无线电	LRC

技术参数

IC (mA)：
500
VCEO (V)：
20
hFE Min：
820
hFE @IC(mA)：
10
VCE(sat) Max (V)：
0.4
VCE(sat) @IC/IB(mA)：
500/20
fT TYP (MHz)：
350
Polarity：
NPN
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多L2SD2114KWLT1G供应商更新时间2025-10-5 10:02:00

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