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L2SD2114KVLT1G	文件：78.09 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
L2SD2114KVLT1G	文件：72.32 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
L2SD2114KVLT1G_11	文件：72.32 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
L2SD2114KVLT1G_15	文件：112.16 Kbytes Page：4 Pages	NPN silicon transistor	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
L2SD2114KVLT1	文件：78.09 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

更多L2SD2114KVLT1G供应商更新时间2025-5-3 15:30:00