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L2SC3356WT1G	文件：151.45 Kbytes Page：4 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor DESCRIPTION The L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qua 文件：151.45 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
L2SC3356WT1G_15	文件：173.61 Kbytes Page：4 Pages	High frequency Amplifier Transistor 文件：173.61 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
L2SC3356WT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	高频晶体管	LRC 乐山无线电	LRC
L2SK3019LT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	LRC乐山上传：深圳市乐创天科技有限公司	LRC乐山

技术参数

IC (mA)：
100
VCEO (V)：
12
hFE Min：
82
hFE @IC(mA)：
10
fT TYP (MHz)：
7000
Polarity：
NPN
Package：
SC-70

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多L2SC3356WT1G供应商更新时间2026-2-1 15:30:00

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