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L2SC3356LT1G	文件：122.86 Kbytes Page：4 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor DESCRIPTION TheL2SC3356LT1isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101Qu	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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L2SC3356LT1G

文件：122.86 Kbytes

Page：4 Pages

High-Frequency Amplifier Transistor

DESCRIPTION TheL2SC3356LT1isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101Qu

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

L2SC3356LT1G

文件：300 bytes

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高频晶体管;

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

L2SC3356LT1G_15

文件：145.79 Kbytes

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High Frequency Amplifier Transistor

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

技术参数

IC (mA)：
100
VCEO (V)：
12
hFE Min：
82
hFE @IC(mA)：
10
fT TYP (MHz)：
7000
Polarity：
NPN
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多L2SC3356LT1G供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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