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L2SA1036KRLT1G

Medium Power Transistor Epitaxial planar type PNP silicon transistor

Features 1) Large IC. ICMax. = -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Pb-Free Package May be Available. The G.Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish

文件:168.31 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

L2SA1036KRLT1G_15

Medium Power Transistor

文件:172.74 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

L2SA1036KRLT1G

通用三极管

LRC

乐山无线电

L2SA1036KRLT1

Medium Power Transistor(-32V, -0.5A)

Features 1) Large IC. ICMax. = -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Pb-Free Package May be Available. The G.Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish

文件:126.66 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

技术参数

  • IC (mA):

    500

  • VCEO (V):

    32

  • hFE Min:

    180

  • hFE @IC(mA):

    10

  • VCE(sat) Max (V):

    0.4

  • VCE(sat) @IC/IB(mA):

    100/10

  • fT TYP (MHz):

    200

  • Polarity:

    PNP

  • Package:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多L2SA1036KRLT1G供应商 更新时间2025-12-15 15:30:00