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PHB2N60E	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD2N60E	文件：1.08597 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD2N60E	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP2N60	文件：51.39 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP2N60E	文件：371.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX2N60E	文件：65.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX2N60Eissupplied	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJF2N60	文件：212.98 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJP2N60	文件：212.98 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
L2N60P
制造商：
LRC
制造商全称：
Leshan Radio Company
功能描述：
600V N-Channel MOSFET Low gane charge

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能创芯电子科技有限公司	L2N60P	LRC/乐山	23+	TO-220	18000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	L2N60P	LRC/乐山	25+	TO-220	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	L2N60TT1G	LRC	22+	SC89	4546	原装现货	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	L2N60TT1G	LRC/乐山	23+	SC89	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	L2N70002WT1G	LRC	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	L2N70002WT1G	LRC	2110+	SOT23	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多L2N60P供应商更新时间2025-5-24 9:03:00

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