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PJP2N60	文件：212.98 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：212.98 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
RI2N60	文件：366.47 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Package 文件：366.47 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP2N60IP	文件：1.00919 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test 文件：1.00919 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP2N60LD	文件：1.00919 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test 文件：1.00919 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

更多PJP2N60供应商更新时间2025-12-6 15:28:00