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MTP2N60E	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage−blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE−FETisdesignedtowithstandhi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N60E	文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP2N60E	文件：1.08666 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT2N60	文件：1.66584 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NDT2N60P	文件：1.64864 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NJ2N60	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60A-LI	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60A-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ2N60-BL	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
L2N60P
制造商：
LRC
制造商全称：
Leshan Radio Company
功能描述：
600V N-Channel MOSFET Low gane charge

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能创芯电子科技有限公司	L2N60P	LRC/乐山	23+	TO-220	18000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	L2N60P	LRC/乐山	25+	TO-220	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳兆威电子有限公司	L2N60TT1G	LRC	23+	SC89	45000	原装正品现货	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	L2N60TT1G	LRC/乐山	24+	SC89	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	L2N60TT1G	LRC	22+	SC89	4546	原装现货	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	L2N60TT1G	LRC/乐山	23+	SC89	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	L2N70002WT1G	LRC	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多L2N60P供应商更新时间2025-5-16 9:00:00

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