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NJ2N60-BL	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES RDS(ON) @VGS = 10V Ultra Low gate charge (typical 9.0nC) Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF) Fast switching capability Avalanche energy specified Improved dv/dt capability, high ruggedness 文件：833.61 Kbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ2N60-BL	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：908.3 Kbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ2N60D-LI	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES RDS(ON) @VGS = 10V Ultra Low gate charge (typical 9.0nC) Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF) Fast switching capability Avalanche energy specified Improved dv/dt capability, high ruggedness 文件：833.61 Kbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ2N60D-LI	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：908.3 Kbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ2N60D-TR	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：908.3 Kbytes 页数：6 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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