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PHX1N60E	文件：24.98 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP1N60E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX1N60E	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJN1N60D	文件：203.14 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU1N60	文件：239.1 Kbytes Page：5 Pages	600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SIHFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SiHFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
SIHFR1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR1N60A	文件：1.08652 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	L1N60A	LRC	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	L1N60CLE	ST	25+23+	TO220	74961	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	L1N60CLE	ST/意法	23+	TO220	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	L1N60G	LRC/乐山无线电	23+	TO-92	18000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	L1N60G	LRC/乐山	25+	TO-92	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	L1NO-657000000000Y	LUMILEDS	23+	2323()	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	L1NO-657000000000Y	LUMIS	24+	NA/	35250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	L1NO-657000000000Y	LUMILEDS	24+	2323()	60000		询价
华富测量(深圳)传感技术有限公司	L1NZ-AUSTR1A	原厂	2023+	模块	600	专营模块,继电器,公司原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	L1Q0-2780	PHI	2018+		200		询价

更多L1N60A供应商更新时间2025-7-25 9:03:00

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