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L1N60A

N-CHANNEL MOSFET

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

L1N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MDZ1N60UMH

N-ChannelMOSFET600V,0.4A

RECTRON

Rectron Semiconductor

MIP1N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

MIP1N60E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

MO1N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

MSU1N60

600VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTA1N60E

FULLYISOLATEDTMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MTD1N60E

TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM

TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MTD1N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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LRC
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NA
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更多L1N60A供应商 更新时间2025-5-20 9:03:00