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KUS086N10DA

Split Gate Trench MOSFETs, DPAK(1), 100V, 63A

• Fast switching time\n• Suitable for using DC/DC Converter, Synchronous Rectification and a load switch;

KEC

KUS086N10F

N-ch Trench MOS FET

文件:78.43 Kbytes 页数:7 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

086N10N

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.18 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

KU086N10F

N-ch Trench MOS FET

文件:423.17 Kbytes 页数:7 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KU086N10P

N-ch Trench MOS FET

文件:423.17 Kbytes 页数:7 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

技术参数

  • AEC-Q:

    N

  • Package:

    DPAK(1)

  • Polarity:

    N

  • BVDSS [V]:

    100

  • ID [A]:

    63

  • PD [W]:

    62.5

  • RDS(ON) @10V[Ω]:

    0.0086

  • Qg [nC]:

    54

  • Vth_Min[V]:

    2

  • Vth_MAX[V]:

    4

  • Ciss[pF]:

    3440

  • ESD DIODE:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DPAK(1)
986966
国产
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KEC
2511
DPAK(1)
360000
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更多KUS086N10DA供应商 更新时间2026-1-26 14:01:00