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KTC3197

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER)

HIGH FREQUENCY APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES • High Gain : Gpe=33dB(Typ.) (f=45MHz). • Good Linearity of hFE.

文件:623.85 Kbytes 页数:4 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KTC3197

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Gain: Gpe=33dB(Typ) (f=45MHZ). ● Good linearity of hFE

文件:451.91 Kbytes 页数:3 Pages

JIANGSU

长电科技

KTC3197

NPN Plastic-Encapsulated Transistor

FEATURES • High Gain: Gpe=33dB(Typ.) (f=45MHz) • Good Linearity of hFE

文件:70.2 Kbytes 页数:1 Pages

SECOS

喜可士

KTC3197

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:98.3 Kbytes 页数:4 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KTC3197

TO-92 PACKAGE

文件:20.69 Kbytes 页数:1 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KTC3197

RF/VHF/UHF Transistor, TO-92, 25V, 0.05A

• High Transition Frequency\n• Excellent hFE Linearity \n• Suitable for using TV Tuner, UHF Oscillator application;

KEC

KTC3197

双极型晶体管

LGE

鲁光电子

KTC3197

Small Signal Transistor

Secos

喜可士

KTC3197_05

TO-92 PACKAGE

文件:20.69 Kbytes 页数:1 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KTC3197_12

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:98.3 Kbytes 页数:4 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

技术参数

  • PCM(W):

    0.625

  • IC(A):

    0.05

  • VCBO(V):

    30

  • VCEO(V):

    25

  • VEBO(V):

    4

  • hFEMin:

    20

  • hFEMax:

    200

  • hFE@VCE(V):

    12.5

  • hFE@IC(A):

    0.0125

  • VCE(sat)(V):

    0.2

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    0.015

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.0015

  • Package:

    TO-92

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更多KTC3197供应商 更新时间2025-12-8 15:30:00