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KTB2510	文件：300.05 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER DARLINGTON) HIGHPOWERAMPLIFIER DARLINGTONAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoKTD1510 •Recommendedfor60WAudioAmplifierOutputStage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTB2510	文件：153.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-150V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max)@IC=-7A •HighDCCurrentGain :hFE=5000(Min)@IC=-7A,VCE=-4V •ComplementtoTypeKTD1510 APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTB2510	文件：345.61 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTB2510	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington transistor, TO-3P(N), -150V, -10A; • Recommended for 60W Audio Amplifier Output Stage.;	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTB2510_08	文件：345.61 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTB2510_15	文件：748 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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