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KSP55

PNP外延硅晶体管

•集电极-发射极电压: VCEO= KSP55: 60V\n•集电极-发射极电压: VCEO=KSP56: 80V\n•集电极损耗: PC(最大值)= 625mW 放大器晶体管;

ONSEMI

安森美半导体

KSP55

Amplifier Transistor

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP55: 60V KSP56: 80V • Collector Power Dissipation: PC (max) =625mW • Complement to KSP05/06

文件:36.18 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSP55TA

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 0.5A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

KSR223GNCLFG

开关

C&K/ITT

KST13MTF

SOT-23

FAIRCHILD

仙童半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • Type:

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V):

    0.25

  • IC Cont. (A):

    0.5

  • VCEO Min (V):

    60

  • VCBO (V):

    60

  • VEBO (V):

    4

  • VBE(on) (V):

    1.2

  • hFE Min:

    50

  • fT Min (MHz):

    105

  • PTM Max (W):

    0.625

  • Package Type:

    TO-92-3 LF

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更多KSP55供应商 更新时间2026-1-17 10:32:00