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KSH50	文件：50.49 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50 文件：50.49 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH50	文件：348.67 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • Electrically similar to popular TIP50 • High voltage and high reliability • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPL 文件：348.67 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH50	文件：296.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：296.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH50	文件：277.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：277.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH50-251	文件：296.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：296.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH50-252	文件：277.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：277.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH5027	文件：351.03 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 800V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 2V(Max) @IC= 1.5A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：351.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH5027	文件：572.72 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage and High Reliability 文件：572.72 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
KSH5027A	文件：572.73 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage and High Reliability 文件：572.73 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
KSH5027AF	文件：337.07 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage and High Reliability 文件：337.07 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
400
VCBO (V)：
500
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KSH50供应商更新时间2025-10-6 14:14:00

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