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KSH200	文件：52.06 Kbytes Page：6 Pages	D-PAK for Surface Mount Applications D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Built-in a Damper Diode at E-C • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix) 文件：52.06 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH200	文件：260.709 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix) 文件：260.709 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH200	文件：338.24 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High DC current gain • Built-in a damper diode at E-C • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • DPAK for surface mount applications • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and relia 文件：338.24 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH200	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：298.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH200	文件：279.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：279.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH200	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor •高DC电流增益\n•为表面贴装应用提供的引线（无后缀）\n•为表面贴装提供直引线（I-PAK，\"-I\"后缀）D-PAK;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSH200_V01	文件：260.709 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix) 文件：260.709 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH200-251	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：298.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH200-252	文件：279.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：279.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSH200TF	文件：260.709 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix) 文件：260.709 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
8
VBE(sat) (V)：
Condition
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
12.5
Package Type：
DPAK-3

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