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13007	文件：667.18 Kbytes Page：1 Pages	Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails Series8ElevatorSocketw/ColletContacts&SolderPinTails FEATURES •IdealforElevatingDevices(Displays,Switches,etc.)toDesiredLevelwith 0.260to1.250[6.60to31.75]HeightExtension	ARIES Aries Electronics,inc
13007	文件：128.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNSiliconTransistor forhighvoltage,high-speedpowerswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
13007	文件：119.84 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ComputerSwitchPowerSupply	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司
13007	文件：40.16 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:8A Collector-basevoltage V(BR)CBO:700V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
13007A	文件：180.81 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(8A,400V,80W) SWIRCHMODESERIESNPNPOWERTRNASISTOR ...designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor115and220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingrequlators,inverters,DC-DCconverter,MotorControls,SolenoiddriveandDeflec	MOSPEC MOSPEC
13007B	文件：261.17 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageNPNTransistor Features ●HighVoltage ●HighSpeedSwitching Structure ●SiliconTripleDiffusedType ●NPNSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
13007DL	文件：121.44 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Mainlyusedfor110VpowerFluorescentLamp、 ElectronicBallast，etc	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司
13007S	文件：126.98 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION ComputerSwitchPowerSupplyand Allkindsofpowerswitchcircuit	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司
13007T	文件：118.8 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ComputerSwitchPowerSupply	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶道深圳市晶道电子有限公司
AV13007	文件：397.07 Kbytes Page：3 Pages	TO-220Plastic-EncapsulateTransistors	AVICTEKAvic Technology Avic Technology
B13007D	文件：233.25 Kbytes Page：10 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructuretoenhanceswitchingspeeds. Generalfeatures ■Improvedspecification:Lowerleakagecurrent,Tighte	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
CDL13007	文件：85.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchCircuits	CDIL CDIL
CDL13007	文件：427.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
CDL13007A	文件：85.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchCircuits	CDIL CDIL
CDL13007B	文件：85.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchCircuits	CDIL CDIL
CDL13007C	文件：85.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchCircuits	CDIL CDIL
CDL13007D	文件：223.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR TO-220PlasticPackage BuiltinDiode	CDIL CDIL
CDL13007E	文件：85.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchCircuits	CDIL CDIL
CJE13007	文件：85.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchingCircuits	CDIL CDIL
CJE13007A	文件：85.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTOR UsedinEnergySavingLightsandPowerSwitchingCircuits	CDIL CDIL

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详细参数

型号：
KSE13007FSM
功能描述：
两极晶体管 - BJT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多KSE13007FSM供应商更新时间2024-4-28 11:09:00

详细参数

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