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KSD1943	文件：38.89 Kbytes Page：4 Pages	High Power Transistor High Power Transistor 文件：38.89 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSD1943	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSD1943TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KTA1943	文件：289.76 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES • Complementary to KTC5200 • Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. 文件：289.76 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KTA1943A	文件：51.16 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES • Complementary to KTC5200A. • Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. 文件：51.16 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
KV1943A	文件：290.19 Kbytes Page：4 Pages	ENHANCED PERFORMANCE SURFACE MOUNT EPSM PACKAGED DEVICES DESCRIPTION Our EPSM packaged devices are designed for the most demanding commercial and Military requirements where the inconsistent performance inherent in plastic surface mount packages cannot be tolerated. These package styles extend the surface mount construction format to 6 GHz for high per 文件：290.19 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
KSD1943
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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