| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FSCTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FSCTO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-TO-220F |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
1900 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-220-3 整包 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
KSD2012Y采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD2012Y图片
KSD2012YTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD2012Y功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
KSD2012YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD2012YYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
