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KSD261GTA	文件：38.83 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSA643 • Collector Power Dissipation : PC=500mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：38.83 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSD261GTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LM261	文件：271.15 Kbytes Page：10 Pages	High Speed Differential Comparators 文件：271.15 Kbytes 页数：10 Pages	NSC 国半	NSC
NTE261	文件：24.86 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A • Collector–Emitter Su 文件：24.86 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
SMTPB261	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE 文件：55.13 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
KSD261GTA
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3

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