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MMBT1616A	文件：1.57234 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Audiofrequencypoweramplifier Mediumspeedswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT1616A	文件：228.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier. ●Mediumspeedswitching. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT1616A	文件：60.59 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION Audiofrequencypoweramplifier Mediumspeedswitching	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT1616A	文件：425.17 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT1616A	文件：2.21258 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier ●Mediumspeedswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT1616A	文件：1.32605 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier. ●Mediumspeedswitching. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT1616A-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT1616AG	文件：937.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier. ●Mediumspeedswitching. ●Non-Halogen APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT1616A-G	文件：917.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand1AIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Se	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT1616A-G-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
KSD1616YTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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