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KSD1273P	文件：66.6 Kbytes Page：5 Pages	High hFE, AF Power Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD1273P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSD1273PTSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSD1273PTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KTA1273	文件：64.95 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor ■Features ●CollectorPowerDissipation:PC=500mW ●Collectorcurrent:IC=-2A ●ComplementarytoKTC3205	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTA1273	文件：948.39 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features ComplementarypairwithKTC3205. Applications Highcurrentapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTA1273	文件：83.53 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTA1273	文件：177.94 Kbytes Page：1 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrent ●LowVoltage ●ComplementarytoKTC3205	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTA1273	文件：232.06 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●1W(MountedonCeramicSubstrate). ●Smallflatpackage. ●Complementary:KTC3205.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTA1273	文件：123.77 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

产品属性

产品编号：
KSD1273P
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
800 @ 500mA，4V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

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更多KSD1273P供应商更新时间2025-5-24 10:04:00

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