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KSC5502D	文件：137.91 Kbytes Page：11 Pages	High Voltage Power Switch Switching Application Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：137.91 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502D	文件：259.57 Kbytes Page：11 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：259.57 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502D	文件：440.2 Kbytes Page：11 Pages	High Voltage Power Switch Switching Application Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：440.2 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502D	文件：278.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 1200V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.6V(Max) @IC= 0.4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：278.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC5502DT	文件：348.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 600V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.6V(Max) @IC= 0.4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：348.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC5502DT	文件：440.2 Kbytes Page：11 Pages	High Voltage Power Switch Switching Application Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：440.2 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502DT	文件：137.91 Kbytes Page：11 Pages	High Voltage Power Switch Switching Application Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：137.91 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502DT	文件：259.57 Kbytes Page：11 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：259.57 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502DTM	文件：440.2 Kbytes Page：11 Pages	High Voltage Power Switch Switching Application Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：440.2 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
KSC5502DTTU	文件：259.57 Kbytes Page：11 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features • High Voltage Power Switch Switching Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free-Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices : D-PAK or TO-220 文件：259.57 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.5
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
600
VCBO (V)：
1200
VEBO (V)：
12
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
12
hFE Max：
30
fT Min (MHz)：
11
PTM Max (W)：
87.83
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	KSC5502D	FAIRCHILD	24+	TO-252(DPAK)	8866		询价
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