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KSC5402D	文件：155.46 Kbytes Page：10 Pages	High Voltage High Speed Power Switch Application Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：155.46 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402D	文件：342.1 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：342.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402D	文件：279.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 1000V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.6V(Max) @IC= 0.4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：279.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC5402D_V01	文件：342.1 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：342.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402DT	文件：348.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 1000V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.6V(Max) @IC= 0.4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：348.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KSC5402DT	文件：342.1 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：342.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402DT	文件：155.46 Kbytes Page：10 Pages	High Voltage High Speed Power Switch Application Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：155.46 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402DTF	文件：342.1 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features • High Voltage High Speed Power Switch Application • Wide Safe Operating Area • Built-in Free Wheeling Diode • Suitable for Electronic Ballast Application • Small Variance in Storage Time • Two Package Choices; D-PAK or TO-220 文件：342.1 Kbytes 页数：12 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402D_09	文件：225.66 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor 文件：225.66 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC5402D	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN硅晶体管的平面硅晶体管 •广泛的安全工作区\n•内置续流二极管\n•适合电子镇流器应用\n•存储时间方面的差异小\n•两个封装选项：D-PAK 或 TO-220\n•高压功率开关;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.75
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
450
VCBO (V)：
1000
VEBO (V)：
12
VBE(sat) (V)：
1.1
hFE Min：
14
hFE Max：
29
fT Min (MHz)：
11
PTM Max (W)：
30
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	KSC5402D	FSC	16+	TO252	47	全新原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	KSC5402D	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市盈慧通电子有限公司	KSC5402D	ONSEMI/安森美	2511	TO-252	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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深圳飞弛宏科技有限公司	KSC5402D	ONSEMI/安森美	23+	TO-252	360000	专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低	询价
深圳博中泰实业有限公司	KSC5402D	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT-252	6300	本公司只做全新原装正品	询价
深圳市一线半导体有限公司	KSC5402DT	FAIRCHILD	24+	TO-220	8866		询价

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